| 型号： | TPS1101DR | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Texas Instruments | 描述： | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| TPS1101DR PDF |  |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 15V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 791mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 (TR) |